ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КАК МЕТОД КОНТРОЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ GaAs В HCl

  • А. В. Дунаев Ивановский Государственный Химико-Технологический университет
  • С. А. Пивоваренок Ивановский Государственный Химико-Технологический университет
  • С. П. Капинос Ивановский Государственный Химико-Технологический университет
Ключевые слова: нет

Аннотация

Проведено спектральное исследование кинетики GaAs плазмохимического травления в Cl2 и HCl. Анализ проводили по контрольным линиям излучения и полос эмиссионного спектра плазмы. Интенсивность излучения образца от скорости травления находилась в прямой зависимости.

Литература

1. Wolf S., Tauber R.N. Silicon // Processing for the VLSI Era / Process Technology. N. Y.: Lattice Press, 2000. V.1. P. 890.
2. Корякин Ю.В. Чистые химические вещества / Ю.В. Корякин, И.И. Ангелов //М.: Химия. – 1974. – С. 408.
3. Ефремов А.М. Спектр излучения тлеющего разряда в хлоре / А.М. Ефремов, А.П. Куприяновская, В.И. Светцов // Журн. прикладной спектроскопии. – 1993. – T. 59. №3–4. – С. 221 – 225.
4. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде /А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, О.А. Семенова, А.М. Ефремов, В.И. Светцов // ФХОМ. – 2010. – №6. – С. 42 – 46.
5. Dale E., Ibbotson D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of groups 3 – 5 // Pure and Appl. Chem. 1988. V.60. № 5. P.
Опубликован
2018-03-06
Раздел
Статьи